長(zhǎng)期回收Toshiba東芝邏輯IC

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該過程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則。
通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。
在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。
這時(shí)可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。
這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。
這樣就得到我們所需要的化硅層。
摻加雜質(zhì)，將晶圓中植入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體。
具體工藝是從硅片上暴露的區(qū)域開始，放入化學(xué)離子混合液中。
這一工藝將改變攙雜區(qū)的導(dǎo)電方式，使每個(gè)晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。
簡(jiǎn)單的芯片可以只用一層，但復(fù)雜的芯片通常有很多層，這時(shí)候?qū)⒃摿鞒滩粩嗟闹貜?fù)，不同層可通過開啟窗口聯(lián)接起來。
這一點(diǎn)類似多層PCB板的制作原理。
更為復(fù)雜的芯片可能需要多個(gè)化硅層，這時(shí)候通過重復(fù)光刻以及上面流程來實(shí)現(xiàn)，形成一個(gè)立體的結(jié)構(gòu)。