RD數(shù)據(jù)讀測(cè)試,DDR2DDR3一致性測(cè)試,外包信號(hào)完整性測(cè)試實(shí)驗(yàn)室


匹配電阻的布局
為了提高信號(hào)質(zhì)量，地址、控制信號(hào)一般要求在源端或終端增加匹配電阻；數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過調(diào)節(jié)ODT 來實(shí)現(xiàn)，一般不加電阻。布局時(shí)要注意電阻的擺放，到電阻端的走線長(zhǎng)度對(duì)信號(hào)質(zhì)量有影響。布局原則如下：
對(duì)于源端匹配電阻靠近CPU（驅(qū)動(dòng)）放，而對(duì)于并聯(lián)端接則靠近負(fù)載端。
而對(duì)于終端VTT上拉電阻要放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端，即靠近后一個(gè)DDR3顆粒的位置放置（T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近大T點(diǎn)放置）；注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好；走線長(zhǎng)度小于500mil；每個(gè)VTT上拉電阻對(duì)應(yīng)放置一個(gè)VTT的濾波電容（多兩個(gè)電阻共用一個(gè)電容）；VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連接，放置濾波電容時(shí)需要兼顧兩方面，一方面要保證有一定的電源通道，另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠(yuǎn)，以免影響濾波效果。


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