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DDR2 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試,眼圖測試

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發(fā)布時(shí)間: 2023-12-16 05:11
最后更新: 2023-12-16 05:11
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根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新(SRT,Self-Refresh Temperature)

  為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失,DRAM必須定時(shí)進(jìn)行刷新,DDR3也不例外。為了的節(jié)省電力,DDR3采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設(shè)計(jì)(ASR,Automatic Self-Refresh)。當(dāng)開始ASR之后,將通過一個(gè)內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率,因?yàn)樗⑿骂l率高的話,消電就大,溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下,盡量減少刷新頻率,降低工作溫度。DDR3的ASR是可選設(shè)計(jì),并不見得市場上的DDR3內(nèi)存都支持這一功能,還有一個(gè)附加的功能就是自刷新溫度范圍(SRT,Self-Refresh  Temperature)。通過模式寄存器,可以選擇兩個(gè)溫度范圍,一個(gè)是普通的的溫度范圍(例如0℃至85℃),另一個(gè)是擴(kuò)展溫度范圍,比如到 95℃。對于DRAM內(nèi)部設(shè)定的這兩種溫度范圍,DRAM將以恒定的頻率和電流進(jìn)行刷新操作。

 

  局部自刷新(RASR,Partial Array Self-Refresh)

  這是DDR3的一個(gè)可選項(xiàng),通過這一功能,DDR3內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯Bank,而不是全部刷新,從而限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點(diǎn)與移動(dòng)型內(nèi)存(Mobile DRAM)的設(shè)計(jì)很相似。

  點(diǎn)對點(diǎn)連接(P2P,Point-to-Point)

  這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行了重要改動(dòng),也是與DDR2系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,一個(gè)內(nèi)存控制器將只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道,這個(gè)內(nèi)存通道只能一個(gè)插槽。內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對點(diǎn)(P2P,Point-to-Point)的關(guān)系(單物理Bank的模組),或者是點(diǎn)對雙點(diǎn)(P22P,Point-to-two-Point)的關(guān)系(雙物理Bank的模組),從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM(臺式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務(wù)器)之分,其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(**內(nèi)存緩沖器)。目前有關(guān)DDR3內(nèi)存模組的標(biāo)準(zhǔn)制定工作剛開始,引腳設(shè)計(jì)還沒有終確定。

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