全自動晶圓拋光后清洗機有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力，市場份額相對小。

一般采取旋轉噴淋的方式，用化學噴霧對單晶圓進行清洗的設備，相對自動 清洗臺清洗效率較低，產(chǎn)能較低，但有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力。

全自動晶圓拋光后清洗機可用于多種工藝中，包括擴散前清洗、柵極氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧化前清洗、光刻膠清除、多晶硅清除等多個清洗環(huán)節(jié)和部分刻蝕環(huán)節(jié)中。

還有另一種單晶圓清洗設備采取超聲波清洗方式，市場份額相對小

全自動晶圓拋光后清洗機在應用環(huán)節(jié)上沒有較大差異，兩者的主要區(qū)別在于清洗方式和精度上的要求。

簡單而言，單晶圓清洗設備是逐片清洗，自動清洗臺是多片清 洗，自動清洗臺的優(yōu)勢在于設備成熟、產(chǎn)能較高，而單全自動晶圓拋光后清洗機的優(yōu)勢在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，避免了晶圓片之間的交叉污染。

洗刷器在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

全自動晶圓拋光后清洗機采取旋轉噴淋的方式，但配合機械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調(diào)節(jié)模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中，包括鋸晶圓、晶 圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD 等環(huán)節(jié)中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

在晶圓的加工中，需要對晶圓進行化學機械拋光處理，拋光處理后的晶圓需要進行清洗作業(yè)。在晶圓的清洗工序中，往往是需要對晶圓進行固定，再進行清洗。由于晶圓的特殊性，對晶圓進行夾持會損壞晶圓表面；將晶圓進行固定，清洗效果并不好，為此我們發(fā)明了一種晶圓清洗機。

全自動晶圓拋光后清洗機特點：

晶圓*大 300mm PVA

雙面清洗雙面刷洗

PVA雙面刷洗

全自動晶圓拋光后清洗機支持4路化學液清洗，包括氨水與SCI

工作臺含驅動組件，用于晶圓低速旋轉（50-100 rpm）

化學清洗臂含 4 路化學液

去離子水和稀釋氨分配的水坑噴嘴

全自動晶圓拋光后清洗機去離子水的 BSR（背面沖洗）噴嘴

帶有流通孔的工藝室

標配三種不同化學品供應系統(tǒng)

工藝室外的手動去離子水槍。

全自動晶圓拋光后清洗機化學液可加熱，*高可達 60°C（*高85°C ）

外部可更換化學液

支持兆聲清洗

支持高壓等離子水沖洗