電場(chǎng)感應(yīng)下面(Field-Induced Model, FIM)

此FIM模型的靜電放電發(fā)生是因電場(chǎng)感應(yīng)而起的，當(dāng)IC因輸送帶或其他因素而經(jīng)過(guò)一電場(chǎng)時(shí)，其相對(duì)極性的電荷可能會(huì)自一些IC腳而排放掉，等IC通過(guò)電場(chǎng)之后，IC本身便累積了靜電荷，此靜電荷會(huì)以類(lèi)似CDM的模式放電出來(lái)。有關(guān)FIM的放電模型早在雙載子(bipolar)電晶體時(shí)代就已被發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)今已有工業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。在國(guó)際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JEDEC STANDARD) 中，亦已對(duì)此電場(chǎng)感應(yīng)模型訂定測(cè)試規(guī)范 (JESD22-C101)，詳細(xì)情形請(qǐng)參閱該工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

Charged-Device Mode靜電放電可能發(fā)生的情形。IC自IC管中滑出后，帶電的IC腳接觸接到地面而形成放電現(xiàn)象。

元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)

此放電模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過(guò)程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過(guò)程中，當(dāng)其pin去碰觸到接地面時(shí)，IC內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由pin自IC內(nèi)部流出來(lái)，而造成了放電的現(xiàn)象。

此種模型的放電時(shí)間更短，僅約幾毫微秒之內(nèi)，放電現(xiàn)象更難以真實(shí)的被模擬。因?yàn)镮C內(nèi)部累積的靜電會(huì)因IC元件本身對(duì)地的等效電容而變，IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式都會(huì)造成不同的等效電容。由于具有多項(xiàng)變化因素難定，有關(guān)此模型放電的工業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)仍在協(xié)議中，但已有此類(lèi)測(cè)試機(jī)臺(tái)在銷(xiāo)售中。該元件充電模型(CDM) ESD可能發(fā)生的原因及放電的情形顯示于下面圖中。

人體放電模型(2-KV) 與機(jī)器放電模型(200V) 放電電流的比較圖在國(guó)際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) (EIA/JEDEC STANDARD) 中，亦對(duì)此機(jī)器放電模型訂定測(cè)試規(guī)范 (EIA/JESD22-A115-A)，詳細(xì)情形請(qǐng)參閱該工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。